PUMH11.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PUMH11.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2129101

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.01

Base Product Number

PUMH11 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Изолированный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

300mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSSOP-6

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

934049930115

Квалификация

AEC-Q101

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,15 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

UMT

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

10 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Типичный коэффициент резистора

Resistor - Base (R1)

10kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

10kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 612 КБ
Datasheet , pdf , 708 КБ
Datasheet , pdf , 902 КБ

PUMH11.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация