PUMH10.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 19 руб.

Сравнить

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMD

Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Артикул

PUMH10.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2148575

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.02

Base Product Number

P*MH10 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Power - Max

300mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Transistor Type

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250ВµA, 5mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Изолированный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

300mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Конфигурация

Dual

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSSOP-6

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

934056189115

Квалификация

AEC-Q101

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

2,2 кΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

2.2 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

0.047

Типичный коэффициент резистора

0.047

Resistor - Base (R1)

2.2kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 714 КБ
Datasheet , pdf , 908 КБ

PUMH10.115, Транзистор NPN x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики

Последняя цена 19 руб.

Техническая документация