ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PUMB15.115, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PUMB15.115, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SO…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PUMB15.115, Транзистор PNP x2, биполярный, BRT, 50В, 100мА, 300мВт, SOT363
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMD
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRNS DOUBL RET TAPE7
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PUMB15.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2130699
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.01
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-150 mV
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Length
2.2мм
Brand
Nexperia
Maximum Collector Emitter Voltage
-50 V
Package Type
SOT
Maximum Power Dissipation
200 (Per Transistor) mW, 300 (Per Device) mW
Height
1.1mm
Pin Count
6
Dimensions
2.2 x 1.35 x 1.1mm
Minimum DC Current Gain
30
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.1мм
Длина
2.2mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Конфигурация
Dual
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
100 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-363-6
Ширина
1.35mm
Другие названия товара №
PUMB15 T/R
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-150 mV
Максимальное рассеяние мощности
200 (Per Transistor) mW, 300 (Per Device) mW
Configuration
Dual
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Число контактов
6
Maximum Continuous Collector Current
-100 mA
Base-Emitter Resistor
4.7KΩ
Typical Input Resistor
4.7 kΩ
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Typical Resistor Ratio
1
Типичный коэффициент резистора
1
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
