ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN5R0-30YL,115 транзистор, N-Channel MOSFET, 91 A, 30 V, 4-Pin SOT-669 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PSMN5R0-30YL,115 транзистор, N-Channel MOSFET, 91 A, 30 V, 4-Pin SOT-6…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PSMN5R0-30YL,115 транзистор, N-Channel MOSFET, 91 A, 30 V, 4-Pin SOT-669
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, до 30 В
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PSMN5R0-30YL,115 транзистор
P/N
PSMN5R0-30YL,115
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1744583
Технические параметры
Вес, г
0.3
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
SOT-669
Transistor Material
Si
Length
5мм
Brand
Nexperia
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
29 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
2.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
91 A
Maximum Power Dissipation
61 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.1мм
Height
1.1мм
Maximum Drain Source Resistance
5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet PSMN5R0-30YL,115 , pdf
, 818 КБ
Datasheet PSMN5R0-30YL,115 , pdf
, 232 КБ