ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN4R0-40YS, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PSMN4R0-40YS, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PSMN4R0-40YS, Транзистор
Последняя цена
240 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 55 В
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
PSMN4R0-40YS
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809742
Технические параметры
Вес, г
0.6
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
SOT-669
Transistor Material
Si
Length
5мм
Brand
Nexperia
Pin Count
4
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Power Dissipation
106 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.1мм
Height
1.1мм
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
40 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N