ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN015-60BS, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PSMN015-60BS, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
PSMN015-60BS, Транзистор
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PSMN015-60BS
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1816899
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.3мм
Brand
Nexperia
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
20.9 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Power Dissipation
86 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
11мм
Height
4.5мм
Maximum Drain Source Resistance
23.7 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N