ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN015-100P.127, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PSMN015-100P.127, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
PSMN015-100P.127, Микросхема
Последняя цена
350 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор RAIL PWR-MOS
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
PSMN015-100P.127
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
1741919
Технические параметры
Тип Транзистора
1 N-Channel
Вес, г
2.93
Ширина
4.7 mm
Конфигурация
Single
Максимальная Рабочая Температура
+ 175 C
Категория продукта
МОП-транзистор
Размер фабричной упаковки
50
Торговая марка
Nexperia
Длина
10.3 mm
Высота
9.4 mm
Id - непрерывный ток утечки
75 A
Pd - рассеивание мощности
300 W
Vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
Вид монтажа
Through Hole
Минимальная рабочая температура
55 C
Полярность транзистора
N-Channel
Упаковка / блок
TO-220-3
Подкатегория
MOSFETs
Тип продукта
MOSFET
Количество каналов
1 Channel
Упаковка
Tube
Технология
Si
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
15 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Канальный режим
Enhancement
Время нарастания
65 ns
Время спада
50 ns
Типичное время задержки выключения
95 ns
Типичное время задержки при включении
25 ns
Другие названия товара №
PSMN015-100P
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 708 КБ
Datasheet PSMN015-100P.127 , pdf
, 696 КБ