ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PSMN004-60B.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 75А, 230Вт, D2PAK - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PSMN004-60B.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 75А, 230Вт, D2PAK
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
PSMN004-60B.118, Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 75А, 230Вт, D2PAK
Последняя цена
410 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Nexperia
Артикул
PSMN004-60B.118
Категория
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
Номенклатурный номер
2181380
Технические параметры
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263 (D2PAK)
Вес, г
1.66
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Полярность транзистора
N Канал
Transistor Mounting
Surface Mount
Линейка Продукции
TrenchMOS Series
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Непрерывный Ток Стока
75А
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Рассеиваемая Мощность
230Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0031Ом
Техническая документация
Datasheet PSMN004-60B,118 , pdf
, 211 КБ