ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXTN25100BFHTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXTN25100BFHTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZXTN25100BFHTA
Последняя цена
17 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2482504
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.038
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
250 мВ
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
1,81 Вт
Maximum DC Collector Current
3A
Dimensions
3.05 x 1.4 x 1мм
Maximum Emitter Base Voltage
7 В
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
1.25W
Максимальное напряжение коллектор-база
-170 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3.05 x 1.4 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
1810 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3.05мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
3 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
170 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
ZXTN25100
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
160 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-250 мВ
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,81 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
3 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
7 V
Максимальная рабочая частота
160 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1050 мВ
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Техническая документация
Datasheet ZXTN25100BFHTA , pdf
, 374 КБ
Datasheet , pdf
, 425 КБ
