ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FZT953TA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
FZT953TA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
FZT953TA
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-223, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 5 А, 3 Вт
Транзисторы общего назначения PNP, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2480666
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.85
Base Product Number
FZT953 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
5A
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 2A, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
120MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Power - Max
3W
REACH Status
REACH Affected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-223
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
460mV @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
5A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
100V
Pd - Power Dissipation
3W
Максимальное напряжение коллектор-база
140 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
PNP
Размеры
1.6 x 6.5 x 3.5мм
Pd - рассеивание мощности
3 W
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
6.5мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
15
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
10 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
140 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
7 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
FZT953
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-223-4
Ширина
3.5мм
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
100
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
125 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.42 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
3 Вт
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
420 mV
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
5 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
125 MHz
Число контактов
3 + Tab
Тип корпуса
SOT-223
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,17 В
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
30
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ
Datasheet FZT953 , pdf
, 310 КБ
Datasheet FZT953TA , pdf
, 536 КБ