ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBFJ112 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBFJ112
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBFJ112
Последняя цена
6 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TO236, АБ
N-канальный JFET, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2480360
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.01
Base Product Number
MMBFJ1 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
350mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Polarity
N Trench
Transistor Configuration
Одинарный
Pd - Power Dissipation
350mW
Тип монтажа
Surface Mount
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Pd - рассеивание мощности
350 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.93мм
Длина
2.92мм
Категория продукта
JFET
Конфигурация
Одинарный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MMBFJ112
Торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок
SOT-23
Ширина
1.3
Другие названия товара №
MMBFJ112_NL
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Производитель
ON Semiconductor
Тип
JFET
Диапазон рабочих температур
55 C to + 150 C
Запирающий ток сток-исток Idss
min. 5mA
Максимальное напряжение сток-затвор
35V
Тип канала
N
Vds - напряжение пробоя затвор-исток
35 V
Напряжение отсечки затвор-исток
5 V
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ом
Максимальное напряжение затвор-исток
35 В
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
50 Ohms
FET Type
N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
5mA @ 15V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
35V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
1V @ 1ВµA
Емкость исток-затвор
28пФ
Емкость сток-затвор
28пФ
Ток стока при Vgs=0
4 mA to 20 mA
Resistance - RDS(On)
50 Ohms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 399 КБ
MMBFJ112 , pdf
, 419 КБ
Datasheet MMBFJ112 , pdf
, 414 КБ
Datasheet , pdf
, 415 КБ