BC847CWT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT323, АБ

Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2479925

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.029

Base Product Number

BC847 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

150mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.6 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Maximum Collector Base Voltage

50 В

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Maximum Power Dissipation

150 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Maximum DC Collector Current

100 мА

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

6 V

Minimum DC Current Gain

270

Максимальное напряжение коллектор-база

50 в

Конфигурация транзистора

одинарный

Тип монтажа

поверхностный монтаж

Тип транзистора

npn

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.85 mm

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

270

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC847CW

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.24 mm

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

150 мвт

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 в

Максимальный пост. ток коллектора

100 ма

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 в

Максимальная рабочая частота

100 мгц

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

0.9 V

Тип корпуса

sot-323(sc-70)

Страна происхождения

Техническая документация

Datasheet , pdf , 106 КБ
Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 179 КБ
Datasheet , pdf , 180 КБ

BC847CWT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация