ZXMN10A11GTA, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 99 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-223, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.4 А

N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2478446

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.215

Максимальный непрерывный ток стока

2.4 A

Package Type

SOT-223

Максимальное рассеяние мощности

3,9 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.7мм

Высота

1.8мм

Количество элементов на ИС

Length

6.7мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

450 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

1.7A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

274pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

2W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 2.6A, 10V

REACH Status

REACH Affected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.4 A

Pd - рассеивание мощности

2 W

Qg - заряд затвора

5.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

350 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

1.7 ns

Время спада

3.5 ns

Длина

6.7мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

4 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

ZXMN10A

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

7,4 нс

Типичное время задержки при включении

2.7 ns

Торговая марка

Diodes Incorporated

Упаковка / блок

SOT-223-3

Тип

MOSFET

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.8мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

2.7 ns

Производитель

DiodesZetex

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

3+Tab

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

5,4 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

274 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

1.7A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Maximum Continuous Drain Current

2,4 A

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.7мм

Maximum Drain Source Resistance

450 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet ZXMN10A11G , pdf , 571 КБ
Datasheet ZXMN10A11GTA , pdf , 571 КБ
Datasheet ZXMN10A11GTA , pdf , 529 КБ

ZXMN10A11GTA - характеристики, поставщики

Последняя цена 99 руб.

Техническая документация