IRF7855TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 300 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 8-SO, инфо: Полевой транзистор N-канальный 60В 12A 8-SOIC

N-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 60 В до 80 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевым HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2478437

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOIC

Ширина

3.9 mm

Высота

1.75 mm

Transistor Material

Length

5mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

2.5 W

Qg - заряд затвора

26 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.4 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4.9 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

13 ns

Время спада

12 ns

Длина

4.9 mm

Другие названия товара №

SP001555708

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

14 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

16 ns

Типичное время задержки при включении

8.7 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

SO-8

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

4.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4mm

Height

1.5mm

Maximum Drain Source Resistance

9.4 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

9.4 10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

2500

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOP

Supplier Package

SOIC N

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1560 25V

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

26 10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

8.7

Automotive

Process Technology

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

4.9

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Typical Reverse Recovery Time (ns)

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

Typical Gate Plateau Voltage (V)

5.3

Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W)

2.5

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.3

Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Gate to Drain Charge (nC)

9.6

Typical Gate to Source Charge (nC)

6.8

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

120 25V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

1910

PPAP

Техническая документация

IRF7855pbf DATASHEET , pdf , 614 КБ
Datasheet IRF7855TRPBF , pdf , 614 КБ
Datasheet IRF7855TRPBF , pdf , 626 КБ

IRF7855TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 300 руб.

Техническая документация