SI7615ADN-T1-GE3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 34 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: POWERPAK12128, АБ

МОП-транзистор с каналом P, 8–20 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2478125

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.02

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PowerPAK 1212

Transistor Material

Length

3.4mm

Brand

Vishay

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

122 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

35 A

Pd - рассеивание мощности

52 W

Qg - заряд затвора

122 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

4.4 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.5 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

12 ns, 40 ns

Время спада

13 ns, 26 ns

Другие названия товара №

SI7621DN-T1-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

82 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения

75 ns, 85 ns

Типичное время задержки при включении

13 ns, 41 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-1212-8

Transistor Configuration

Single

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Maximum Power Dissipation

52 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.4mm

Height

1.12mm

Maximum Drain Source Resistance

9.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single Quad Drain Triple Source

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant with Exemption

Lead Shape

No Lead

Maximum Continuous Drain Current (A)

22.1

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

4.4@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±12

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

3700

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

PowerPAK 1212

Supplier Package

PowerPAK 1212

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

5590@10V

HTS

8541.29.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

122@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

122

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.04

Package Length

3.05

Package Width

3.05

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

1.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

Техническая документация

Datasheet SI7615ADN-T1-GE3 , pdf , 537 КБ
Datasheet SI7615ADN-T1-GE3 , pdf , 596 КБ

SI7615ADN-T1-GE3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 34 руб.

Техническая документация