Транзистор IRFP150NPBF, International Rectifier - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

IRFP150NPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на площадь кремния и быстродействием переключения с использованием передовой планарной технологии.

• Рабочая температура 175 ° C
• Динамический рейтинг dV / dt
• Полностью лавинный режим

Информация

Производитель

International Rectifier

Артикул

IRFP150NPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2474821

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Максимальный непрерывный ток стока

42 А

Максимальное рассеяние мощности

160 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.3мм

Высота

20.3мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

36 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFP150 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

42A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

160W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 23A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

39 A

Pd - рассеивание мощности

140 W

Qg - заряд затвора

110 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

36 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

100 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

Through Hole

Длина

15.9мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

400

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

45 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-247AC

Размеры

15.9 x 5.3 x 20.3мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

11 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

110 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1900 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

IRFP150 datasheet , pdf , 168 КБ
Datasheet IRFP150NPBF , pdf , 1034 КБ
Datasheet IRFP150NPBF , pdf , 1025 КБ
Datasheet IRFP150NPBF , pdf , 1023 КБ

Транзистор IRFP150NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация