ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
Транзистор BC846S.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
Транзистор BC846S.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
Транзистор BC846S.115
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)
Корпус TSSOP6, Тип проводимости и конфигурация NPN/NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110, Коэффициент усиления по току, max 450
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BC846S.115
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2474760
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Base Product Number
BC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Transistor Configuration
Изолированный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Pd - Power Dissipation
300mW
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.1 x 1.35 x 1мм
Pd - рассеивание мощности
300 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.1мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
65 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
6 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-363-6
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
BC846S T/R
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
300 mV
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
20 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
65 V
Число контактов
6
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Техническая документация
BAS40 series; 1PSxxSB4x series General-purpose Schottky diodes Datasheet , pdf
, 218 КБ
Datasheet , pdf
, 186 КБ
Datasheet , pdf
, 385 КБ