ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP9NK50ZFP - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP9NK50ZFP
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP9NK50ZFP
Последняя цена
23 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP
МОП-транзистор N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2473037
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.439
Максимальный непрерывный ток стока
7.2 A
Максимальное рассеяние мощности
30 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.6мм
Высота
9.3мм
Количество элементов на ИС
1
Series
SuperMESHв„ў ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
850 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 В
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
STP9NK50 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
7.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)
30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 3.6A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220FP
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100ВµA
Id - непрерывный ток утечки
7.2 A
Pd - рассеивание мощности
30 W
Qg - заряд затвора
32 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
850 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
20 ns
Время спада
22 ns
Длина
10.4мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
SuperMESH
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
5.3 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
MDmesh, SuperMESH
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel MOSFET
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки при включении
17 ns
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Тип корпуса
TO-220FP
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.3мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
STMicroelectronics
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
32 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
910 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
7.2A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
30W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
850mО© @ 3.6A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500V
Vgs - Gate-Source Voltage
4.5V @ 100uA
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Lead Shape
Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)
7.2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
850@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
500
Maximum Gate Source Voltage (V)
±30
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
30000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Through Hole
Packaging
Tube
Part Status
Active
PCB changed
3
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220FP
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
910@25V
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
32@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
32
Typical Fall Time (ns)
22
Typical Rise Time (ns)
20
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
45
Typical Turn-On Delay Time (ns)
17
Automotive
No
Military
No
Package Height
16.4(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
Tab
Tab
Process Technology
SuperMESH
Средства разработки
STEVAL-ISC002V1
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 365 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP , pdf
, 366 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP , pdf
, 382 КБ
Datasheet STP9NK50ZFP , pdf
, 368 КБ
