Транзистор BSP31.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 14 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

BSP31.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2472297

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

70 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

1.7 x 6.7 x 3.7мм

Pd - рассеивание мощности

1300 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.7мм

Длина

6.7мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

1 A

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

70 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.7мм

Другие названия товара №

BSP31 T/R

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальный пост. ток коллектора

1 А

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-223 (SC-73)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,2 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf , 234 КБ

Транзистор BSP31.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 14 руб.

Техническая документация