Транзистор PDTC114YT.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 0.7 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, Nexperia

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

PDTC114YT.215

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2472233

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Base Product Number

PDTC114 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

1ВµA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 5V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN - Pre-Biased

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

100mV @ 250ВµA, 5mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

250mW

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Высота

1мм

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,1 В

Количество элементов на ИС

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 mA

Типичный входной резистор

10 кΩ

Типичный коэффициент резистора

0,21, 1

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 748 КБ
Datasheet , pdf , 1531 КБ

Транзистор PDTC114YT.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 0.7 руб.

Техническая документация