Транзистор BC857BW.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы\Транзисторы биполярные (BJTs)

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

BC857BW.115

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2472000

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

200mW

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Pd - рассеивание мощности

200 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

2.2мм

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

220 at 2 mA at 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

100 mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Ширина

1.35мм

Другие названия товара №

BC857BW T/R

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

220 at 2 mA at 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-600 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

200 mW

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

400 mV

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Число контактов

Тип корпуса

SOT-323 (SC-70)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

850 мВ

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

125

Automotive Standard

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 370 КБ
Datasheet , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 158 КБ

Транзистор BC857BW.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация