ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT2369ALT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBT2369ALT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT2369ALT1G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Trans GP BJT NPN 15V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2471788
Технические параметры
Вес, г
0.032
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.5 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Maximum Collector Base Voltage
40 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
15 V
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
225 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Maximum DC Collector Current
200 (Continuous) mA
Height
1.01mm
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Emitter Base Voltage
4.5 V
Minimum DC Current Gain
20
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Pd - Power Dissipation
225mW
Максимальное напряжение коллектор-база
40 в
Конфигурация транзистора
одинарный
Тип монтажа
поверхностный монтаж
Тип транзистора
npn
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
225 мвт
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
40
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
15
Maximum Emitter Base Voltage (V)
4.5
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.85 1mA 10mA|1.15 3mA 30mA|1.6 10mA 100mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.2 1mA 10mA|0.25 3mA 30mA|0.5 10mA 100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
400
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Mounting
Surface Mount
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 в
Максимальный пост. ток коллектора
200 ма
Максимальное напряжение эмиттер-база
4.5 в
Максимальная рабочая частота
100 мгц
Число контактов
3
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.6 V dc
Тип корпуса
sot-23
Automotive Standard
AEC-Q101
Transistor Material
Si
Страна происхождения
cn
PPAP
No
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 128 КБ
MMBT2369LT1 , pdf
, 201 КБ
Datasheet , pdf
, 89 КБ