MMBF2201NT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБ

МОП-транзистор 20V 300mA N-Channel

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2466134

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.01

Ширина

1.24 mm

Высота

0.85 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Base Product Number

MMBF2201 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

300mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 5V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

150mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 300mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

300 mA

Pd - рассеивание мощности

150 mW

Qg - заряд затвора

1.4 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

2.5 ns

Время спада

0.8 ns

Длина

2.1 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

450 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMBF2201N

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

15 ns

Типичное время задержки при включении

2.5 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-323-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип

MOSFET

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

300mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

150mW

Rds On - Drain-Source Resistance

1О© @ 300mA,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.4V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.3

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

1000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

150

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

NRND

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

Supplier Package

SC-70

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

45@5V

HTS

8541.21.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

1.4

Typical Fall Time (ns)

0.8

Typical Rise Time (ns)

2.5

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

2.5

Automotive

Military

Package Height

0.85

Package Length

2.1

Package Width

1.24

Техническая документация

Datasheet , pdf , 98 КБ
Datasheet MMBF2201NT1G , pdf , 171 КБ
Datasheet MMBF2201NT1G , pdf , 102 КБ

MMBF2201NT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация