ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTC143EET1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
DTC143EET1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTC143EET1G
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT416, АБ
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2466116
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.027
Base Product Number
DTC143 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-75, SOT-416
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SC-75, SOT-416
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.65мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 В пост. тока
Package Type
SC-75
Maximum Power Dissipation
300 мВт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
0.9мм
Pin Count
3
Dimensions
1.65 x 0.9 x 0.8mm
Minimum DC Current Gain
15
Тип транзистора
NPN
Pd - рассеивание мощности
200 mW (1/5 W)
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
0.8мм
Длина
1.6 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
15
Конфигурация
Одиночный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
50 V
Непрерывный коллекторный ток
0.1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DTC143EE
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка / блок
SC-75-3
Ширина
0.8 mm
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
15
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 V dc
Тип корпуса
SC-75
Maximum Continuous Collector Current
100 mA
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
15
Automotive Standard
AEC-Q101
Пиковый постоянный ток коллектора
100 mA
Типичное входное сопротивление
4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора
1
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
4.7 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 144 КБ
Datasheet , pdf
, 391 КБ
Datasheet DTC143EET1G , pdf
, 131 КБ