ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPN60R600PFD7SATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPN60R600PFD7SATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPN60R600PFD7SATMA1
Последняя цена
43 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: PGSOT2233, АБ
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2466027
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-223
Рассеиваемая Мощность
7Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Непрерывный Ток Стока
6А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.517Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.1
Линейка Продукции
CoolMOS PFD7 SJ Series
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Vds - напряжение пробоя сток-исток
650 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Другие названия товара №
IPN60R600PFD7S SP005353997
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-223-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Техническая документация
Datasheet IPN60R600PFD7SATMA1 , pdf
, 1078 КБ
Datasheet IPN60R600PFD7SATMA1 , pdf
, 347 КБ
