IRF3703PBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

IRF3703PBF - это N-канальный силовой полевой МОП-транзистор HEXFET® с низким импедансом затвора для снижения коммутационных потерь. Подходит для синхронного выпрямления и активного уплотнительного кольца.

• Сверхнизкое сопротивление ВКЛ.
• Полное лавинное сопротивление

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2466003

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.679

Ширина

4.4 mm

Высота

15.65 mm

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IRF3703 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

210A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

209nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

8250pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 230W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 76A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

210 A

Pd - рассеивание мощности

230 W

Qg - заряд затвора

209 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.8 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

123 ns

Время спада

24 ns

Длина

10 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

53 ns

Типичное время задержки при включении

18 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-220-3

Тип

Smps MOSFET

Упаковка

Tube

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

210A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

3.8W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

IRF3703 Datasheet , pdf , 98 КБ
Datasheet IRF3703PBF , pdf , 192 КБ
Datasheet IRF3703PBF , pdf , 183 КБ
Datasheet IRF3703PBF , pdf , 181 КБ

IRF3703PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация