SI7850DP-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 85 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: POWERPAKSO8, АБ

SI7850DP-T1-E3 - это N-канальный N-канальный МОП-транзистор TrenchFET® Power на 60 В с низким тепловым сопротивлением и низким профилем 1,07 мм. Подходит для вторичного синхронного выпрямителя и переключателя первичной стороны для приложений 24 В постоянного / постоянного тока.

• Напряжение затвор-исток ± 20 В
• Без галогенов

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2465938

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.126

Максимальный непрерывный ток стока

6.2 A

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

5.89мм

Высота

1.04мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

22 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

10.3 A

Pd - рассеивание мощности

4.5 W

Qg - заряд затвора

27 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

22 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

10 ns

Время спада

12 ns

Длина

4.9мм

Другие названия товара №

SI7850DP-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

26 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

25 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

PowerPAK-SO-8

Тип корпуса

PowerPAK SO

Размеры

4.9 x 5.89 x 1.04мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

10 нс

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

18 nC @ 10 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

10.3A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

4.5W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

3V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet SI7850DP-T1-E3 , pdf , 161 КБ
Datasheet SI7850DP-T1-E3 , pdf , 364 КБ
Datasheet , pdf , 363 КБ

SI7850DP-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 85 руб.

Техническая документация