TSM160P04LCRH RLG, Taiwan Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TDFN8

P-канал 40V 51A (Tc) 69W (Tc) Поверхностный монтаж 8-PDFN (5x6)

Информация

Производитель

Taiwan Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2465906

Технические параметры

Вес, г

0.01

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Base Product Number

TSM160 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

51A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2712pF @ 20V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

8-PowerTDFN

Power Dissipation (Max)

69W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

8-PDFN (5x6)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Техническая документация

Datasheet TSM160P04LCRHRLG , pdf , 320 КБ

TSM160P04LCRH RLG - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация