MUN5213T1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SC703, АБ

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

2465852

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.031

Base Product Number

MUN5213 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power - Max

202mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-70-3 (SOT323)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300ВµA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V dc

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

2.2мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 В пост. тока

Package Type

SC-70

Maximum Power Dissipation

310 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35мм

Maximum DC Collector Current

100mA

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

2.2 x 1.35 x 0.9mm

Minimum DC Current Gain

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Pd - Power Dissipation

202mW

Тип транзистора

NPN

Pd - рассеивание мощности

202 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Длина

2.1 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

80, 140

Конфигурация

Одиночный

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MUN5213

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-70-3

Ширина

1.24 mm

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

50 V dc

Maximum Continuous Collector Current

100 mA

Base-Emitter Resistor

47кОм

Automotive Standard

AEC-Q101

Typical Input Resistor

47 kΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

47 kOhms

Типичный коэффициент деления резистора

Typical Resistor Ratio

Resistor - Base (R1)

47 kOhms

Resistor - Emitter Base (R2)

47 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 140 КБ
Datasheet , pdf , 418 КБ
Datasheet , pdf , 414 КБ
Datasheet , pdf , 144 КБ

MUN5213T1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация