ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DTA114EM3T5G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
DTA114EM3T5G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
DTA114EM3T5G
Последняя цена
3 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: SOT723, АБ
Цифровые PNP-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2465839
Технические параметры
Вес, г
0.01
Base Product Number
DTA114 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-723
Power - Max
260mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-723
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 300ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Transistor Polarity
PNP
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.25 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
1.25мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 В
Package Type
SOT-723
Maximum Power Dissipation
338 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
0.85mm
Height
0.55мм
Pin Count
3
Dimensions
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Minimum DC Current Gain
35
Pd - Power Dissipation
260 mW
Series
DTA114EM3
Product Category
Bipolar Transistors - Pre-Biased
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Manufacturer
ON Semiconductor
Maximum Continuous Collector Current
100 мА
Typical Input Resistor
10 кΩ
Typical Resistor Ratio
1
Resistor - Base (R1)
10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
10 kOhms
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Continuous Collector Current
0.1 A
DC Collector/Base Gain Hfe Min
35, 60
DC Current Gain HFE Max
35
Factory Pack Quantity
8000
Mounting Style
SMD/SMT
Product Type
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Subcategory
Transistors
Unit Weight
0.000042 oz
Peak DC Collector Current
100 mA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 375 КБ
Datasheet , pdf
, 114 КБ
