ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC856ALT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
BC856ALT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC856ALT1G
Последняя цена
0.8 руб.
Сравнить
ВКонтакте
Одноклассники
Telegram
Twitter
Viber
WhatsApp
Скопировать ссылку
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ
Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2465698
Технические параметры
Вес, г
0.032
Base Product Number
BC856 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
125 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.65 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Package Type
SOT-23
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum DC Collector Current
100 mA
Height
0.94mm
Pin Count
3
Dimensions
0.94 x 2.9 x 1.3mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
125@2mA@5V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Pd - Power Dissipation
300mW
Конфигурация транзистора
Одинарный
Длина
2.9mm
Ширина
1.3mm
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
300 mW
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
PNP
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
65
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.2
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Maximum Power Dissipation (mW)
300
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Standard Package Name
SOT
Supplier Package
SOT-23
Military
No
Mounting
Surface Mount
Package Height
0.94
Package Length
2.9
Package Width
1.3
PCB changed
3
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 84 КБ
Datasheet , pdf
, 210 КБ