ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPN95R1K2P7ATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPN95R1K2P7ATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPN95R1K2P7ATMA1
Последняя цена
65 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT223, АБ
МОП-транзистор LOW POWER_NEW
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2465652
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.229
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Brand
Infineon Technologies
Series
P7
Минимальная рабочая температура
55 C
Package / Case
SOT-223-3
Technology
Si
Id - непрерывный ток утечки
6 A
Pd - рассеивание мощности
7 W
Qg - заряд затвора
15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
950 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
12 ns
Другие названия товара №
IPN95R1K2P7 SP001792336
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
36 ns
Типичное время задержки при включении
7 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-223-3
Rds On - Drain-Source Resistance
1.2 Ohms
Transistor Polarity
N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
950 V
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Packaging
Cut Tape or Reel
Product Category
MOSFET
Typical Turn-On Delay Time
7 ns
Typical Turn-Off Delay Time
36 ns
Factory Pack Quantity
3000
Fall Time
12 ns
Id - Continuous Drain Current
6 A
Manufacturer
Infineon
Mounting Style
SMD/SMT
Number Of Channels
1 Channel
Pd - Power Dissipation
7 W
Product Type
MOSFET
Qg - Gate Charge
15 nC
Rise Time
10 ns
Subcategory
MOSFETs
Tradename
CoolMOS
Transistor Type
1 N-Channel
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
2.5 V
Part # Aliases
IPN95R1K2P7
Техническая документация
Datasheet IPN95R1K2P7ATMA1 , pdf
, 1117 КБ
