ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPN70R750P7SATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPN70R750P7SATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPN70R750P7SATMA1
Последняя цена
24 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO261, АБ
МОП-транзистор CONSUMER
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2465544
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.1
Минимальная рабочая температура
40 C
Pin Count
3
Id - непрерывный ток утечки
6.5 A
Pd - рассеивание мощности
6.7 W
Qg - заряд затвора
8.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
620 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
700 V
Vgs - напряжение затвор-исток
16 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
5 ns
Время спада
27 ns
Другие названия товара №
IPN70R750P7S SP001664912
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки при включении
12 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
SOT-223-3
Упаковка
Reel, Cut Tape
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Configuration
Single
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant with Exemption
Maximum Continuous Drain Current (A)
6.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
750 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
700
Maximum Gate Source Voltage (V)
16
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
6700
Minimum Operating Temperature (°C)
-40
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
Active
PCB changed
2
Product Category
Power MOSFET
Supplier Package
SOT-223
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)
306 400V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
8.3 10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)
8.3
Typical Fall Time (ns)
27
Typical Rise Time (ns)
5
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
60
Typical Turn-On Delay Time (ns)
12
Automotive
No
Tab
Tab
PPAP
No
Техническая документация
Datasheet IPN70R750P7SATMA1 , pdf
, 1212 КБ
Datasheet IPN70R750P7SATMA1 , pdf
, 1028 КБ
