BSP89.115, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO261

• Прямой интерфейс к дополнительным (C-MOS) транзисторам и устройствам с транзисторно-транзисторной логикой (TTL)
• Очень быстрое переключение
• Отсутствие вторичного пробоя

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2465528

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.266

Максимальный непрерывный ток стока

375 мА

Package Type

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

3.7мм

Высота

1.7мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное сопротивление сток-исток

7,5 Ω

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

BSP89 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

375mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

240V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

Power Dissipation (Max)

1.5W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5Ohm @ 340mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-223

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Id - непрерывный ток утечки

375 mA

Pd - рассеивание мощности

1.5 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

2.8 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

240 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

800 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6.7мм

Другие названия товара №

934018750115

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-223-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Число контактов

3 + Tab

Maximum Power Dissipation

1,5 Вт

Maximum Drain Source Voltage

240 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

BSP89 , pdf , 56 КБ
Datasheet BSP89,115 , pdf , 172 КБ
Datasheet BSP89.115 , pdf , 171 КБ

BSP89.115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация