ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SI4413ADY-T1-E3 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
SI4413ADY-T1-E3
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
SI4413ADY-T1-E3
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Vishay
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2465491
Технические параметры
Вес, г
0.1
Pin Count
8
Number of Elements per Chip
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Configuration
Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)
EAR99
EU RoHS
Compliant
Lead Shape
Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)
10.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)
7.5@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)
30
Maximum Gate Source Voltage (V)
±20
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Maximum Power Dissipation (mW)
3000
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Part Status
NRND
PCB changed
8
Product Category
Power MOSFET
Standard Package Name
SOP
Supplier Package
SOIC N
HTS
8541.29.00.95
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)
61@5V
Typical Fall Time (ns)
97
Typical Rise Time (ns)
18
Typical Turn-Off Delay Time (ns)
170
Typical Turn-On Delay Time (ns)
21
Automotive
No
Military
No
Package Height
1.55(Max)
Package Length
5(Max)
Package Width
4(Max)
Process Technology
TrenchFET
Техническая документация
Datasheet SI4413ADYT1E3 , pdf
, 185 КБ