ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
DMP2021UFDF-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
DMP2021UFDF-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
DMP2021UFDF-7
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: UDFN6, АБ
МОП-транзистор P-Ch -20V Enh FET 8Vgss 0.73W 2760pF
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
2465424
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.01
Ширина
2 mm
Высота
0.6 mm
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
9 A
Pd - рассеивание мощности
2.02 W
Qg - заряд затвора
59 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
22 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
350 mV
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
25 ns
Время спада
96 ns
Длина
2 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
DMP2021
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
125 ns
Типичное время задержки при включении
7.5 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
U-DFN2020-F-6
Продукт
Enhancement Mode MOSFET
Тип
Enhancement Mode MOSFET
Техническая документация
Datasheet DMP2021UFDF , pdf
, 512 КБ
Datasheet DMP2021UFDF-7 , pdf
, 289 КБ