ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC846AS-7 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BC846AS-7
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC846AS-7
Последняя цена
4 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1, корпус: TSSOP6, АБ
Малосигнальные NPN-транзисторы, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2465222
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.1
Base Product Number
BC846 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
110 @ 2mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
200mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-363
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
65V
Transistor Configuration
Изолированный
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Pd - Power Dissipation
200mW
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Surface Mount
Тип транзистора
NPN
Размеры
2.2 x 1.35 x 1мм
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.35мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
600 мВ
Количество элементов на ИС
2
Максимальное рассеяние мощности
200 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
700 мВ, 900 мВ
Производитель
DiodesZetex
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
110
Техническая документация
Datasheet BC846AS-7 , pdf
, 633 КБ
