SPD18P06PGBTMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 110 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ

Полевые МОП-транзисторы с P-каналом Infineon SIPMOS®
Малые сигнальные МОП-транзисторы с P-каналом SIPMOS ® имеют несколько функций, которые могут включать режим улучшения, непрерывный ток стока, -80А плюс широкий диапазон рабочих температур. Силовой транзистор SIPMOS может использоваться в различных приложениях, включая телекоммуникации, электронную мобильность, ноутбуки, устройства постоянного и постоянного тока, а также в автомобильной промышленности.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2465171

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.5

Максимальный непрерывный ток стока

18.6 A

Максимальное рассеяние мощности

80 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.41мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

130 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

SIPMOS

Типичное время задержки выключения

24,5 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.41мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

22 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

690 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Infineon-SPD18P06P-DS-v03_04-en , pdf , 531 КБ

SPD18P06PGBTMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 110 руб.

Техническая документация