IPB017N08N5ATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263, АБ

МОП-транзистор N-Ch 80V 120A D2PAK-2

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2464988

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

1.55

Ширина

9.25 mm

Высота

4.4 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

120 A

Pd - рассеивание мощности

375 W

Qg - заряд затвора

223 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

80 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.2 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

36 ns

Время спада

37 ns

Длина

10 mm

Другие названия товара №

IPB017N08N5 SP001132472

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

OptiMOS

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

114 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

OptiMOS 5

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

102 ns

Типичное время задержки при включении

40 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-263-3

Техническая документация

Datasheet , pdf , 933 КБ

IPB017N08N5ATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация