IRF200B211 - характеристики, поставщики

IRF200B211

Последняя цена 36 руб.

IRF200B211

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

МОП-транзистор TRENCH >=100V

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2464962

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 175 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.87

Ширина

4.4 mm

Высота

15.65 mm

Series

HEXFETВ®, StrongIRFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Base Product Number

IRF200 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

12A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

80W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

170mOhm @ 7.2A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 50ВµA

Id - непрерывный ток утечки

12 A

Pd - рассеивание мощности

80 W

Qg - заряд затвора

15.3 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

170 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

9.5 ns

Время спада

6.5 ns

Длина

10 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

StrongIRFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Типичное время задержки выключения

11.3 ns

Типичное время задержки при включении

6.5 ns

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

TO-220-3

Упаковка

Tube

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

12A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

80W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

170mО© @ 7.2A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

4.9V @ 50uA

Техническая документация

Datasheet IRF200B211 , pdf , 550 КБ
Datasheet IRF200B211 , pdf , 546 КБ
Datasheet IRF200B211 , pdf , 534 КБ