ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMUN2235LT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMUN2235LT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMUN2235LT1G
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN DIGITAL TRANSISTOR (BRT)
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2464902
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.029
Base Product Number
MMUN2235 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
246mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum Collector Base Voltage
50 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
50 В
Width
1.4мм
Pin Count
3
Minimum DC Current Gain
80
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
NPN
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Высота
1.01мм
Длина
3.04мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
MMUN2235L
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка
ON Semiconductor
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.25 V dc
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 (Continuous) mA
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23
Automotive Standard
AEC-Q101
Страна происхождения
CN
Resistor - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 378 КБ
Datasheet , pdf
, 105 КБ