ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6039G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6039G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6039G
Последняя цена
52 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 500, корпус: TO225, АБ
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2464897
Технические параметры
Вес, г
0.733
Base Product Number
2N6039 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
4A
Current - Collector Cutoff (Max)
100ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
750 @ 2A, 3V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Power - Max
40W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-225AA
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
11.04mm
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-225AA
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
7.74mm
Height
2.66mm
Pin Count
3
Dimensions
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
100
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
Type
NPN
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
80
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
4@40mA@4A
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2@8mA@2A|3@40mA@4A
Maximum Power Dissipation (mW)
40000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Box
Automotive
No
Supplier Package
TO-225
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
11.1(Max)
Package Length
7.8(Max)
Package Width
3(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
100µA
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
4
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
500
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 204 КБ
Datasheet 2N6039G , pdf
, 198 КБ