ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP142T - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
TIP142T
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP142T
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2464747
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
2.92
Base Product Number
TIP142 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
10A
Current - Collector Cutoff (Max)
2mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power - Max
80W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4мм
Maximum Collector Base Voltage
100 В
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
STMicroelectronics
Maximum Collector Emitter Voltage
100 В
Height
9.15мм
Pin Count
3
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Maximum Emitter Base Voltage
5 В
Minimum DC Current Gain
500@10A@4V|1000@5A@4V
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Конфигурация транзистора
Одинарный
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип транзистора
NPN
Размеры
10.4 x 4.6 x 9.15мм
Вид монтажа
Through Hole
Высота
9.15мм
Длина
10.4мм
Категория продукта
Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
500
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
15 A
Максимальный ток отсечки коллектора
1000 uA
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
100 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Серия
TIP142T
Тип продукта
Darlington Transistors
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220-3
Ширина
4.6мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Количество элементов на ИС
1
EU RoHS
Compliant with Exemption
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.21.00.75
Type
NPN
Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage (V)
100
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
100
Maximum Emitter Base Voltage (V)
5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
2@10mA@5A|3@40mA@10A
Maximum Power Dissipation (mW)
90000
Minimum Operating Temperature (°C)
-65
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tube
Automotive
No
Standard Package Name
TO-220
Supplier Package
TO-220AB
Military
No
Mounting
Through Hole
Package Height
9.15(Max)
Package Length
10.4(Max)
Package Width
4.6(Max)
PCB changed
3
Tab
Tab
Lead Shape
Through Hole
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Тип корпуса
TO-220
Other Related Documents
http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Maximum Collector Cut-off Current
1mA
Maximum Continuous Collector Current
10 A
Производитель
STMicroelectronics
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
500
Максимальный непрерывный ток коллектора
10 A
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Maximum Continuous DC Collector Current (A)
10
Maximum Collector Cut-Off Current (uA)
1000
Техническая документация
TIP142T, TIP147T complementary silicon power darlington transistors , pdf
, 53 КБ
Datasheet , pdf
, 145 КБ
Datasheet , pdf
, 133 КБ