SI2302CDS-T1-E3, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 17 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

• от -55 до 150 ° C Диапазон рабочих температур

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2464321

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.044

Ширина

1.6 mm

Высота

1.45 mm

Series

TrenchFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Base Product Number

SI2302 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

2.6A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

710mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 3.6A, 4.5V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±8V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

2.6 A

Pd - рассеивание мощности

710 mW

Qg - заряд затвора

3.5 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

57 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

20 V

Vgs - напряжение затвор-исток

8 V, + 8 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

850 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

7 ns

Время спада

7 ns

Длина

2.9 mm

Другие названия товара №

SI2302CDS-E3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

13 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI2

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns

Типичное время задержки при включении

8 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

2.6A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

710mW

Rds On - Drain-Source Resistance

57mО© @ 3.6A,4.5V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

20V

Vgs - Gate-Source Voltage

850mV @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

2.6

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

57@4.5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±8

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

860

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT-23

Supplier Package

SOT-23

HTS

8541.21.00.95

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

3.5@4.5V

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

Automotive

Military

Package Height

1.02(Max)

Package Length

3.04(Max)

Package Width

1.4(Max)

Process Technology

TrenchFET

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

0.85

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

0.1

Typical Gate to Drain Charge (nC)

0.45

Typical Gate to Source Charge (nC)

0.6

Typical Reverse Recovery Charge (nC)

Typical Output Capacitance (pF)

Техническая документация

Datasheet SI2302CDS-T1-E3 , pdf , 210 КБ
Datasheet , pdf , 220 КБ
Datasheet SI2302CDS-T1-E3 , pdf , 215 КБ
Datasheet SI2302CDS-T1-E3 , pdf , 182 КБ

SI2302CDS-T1-E3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 17 руб.

Техническая документация