IRFH3702TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 40 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: QFN8, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор 30 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов с полевыми транзисторами HEXFET® от Infineon включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах. И форм-факторы, которые могут решить практически любую проблему компоновки платы и теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2464248

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.122

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Ширина

5 mm

Высота

1 mm

Transistor Material

Length

3mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

9.6 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Id - непрерывный ток утечки

42 A

Pd - рассеивание мощности

2.8 W

Qg - заряд затвора

9.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.1 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.8 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

6 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

4000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Торговая марка

Infineon / IR

Упаковка / блок

PQFN-8

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

2.35V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.35V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

42 A

Maximum Power Dissipation

2.8 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3mm

Height

0.95mm

Maximum Drain Source Resistance

11.8 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

Forward Transconductance

37s

Dimensions

3 x 3 x 0.95mm

Typical Turn-On Delay Time

9.6 ns

Typical Turn-Off Delay Time

11 ns

Техническая документация

IRFH3702PBF datasheet , pdf , 301 КБ
Datasheet IRFH3702TRPBF , pdf , 276 КБ
Datasheet IRFH3702TRPBF , pdf , 277 КБ

IRFH3702TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 40 руб.

Техническая документация