SI1026X-T1-GE3 - характеристики, поставщики

SI1026X-T1-GE3

Последняя цена 14 руб.

SI1026X-T1-GE3

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 500, корпус: SC896, АБ

МОП-транзистор 60V Vds 20V Vgs SC89-6

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2463741

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.114

Ширина

1.2 mm

Высота

0.6 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

500 mA

Pd - рассеивание мощности

280 mW

Qg - заряд затвора

600 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.4 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

1.66 mm

Другие названия товара №

SI1026X-GE3

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Коммерческое обозначение

TrenchFET

Конфигурация

Dual

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

200 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

SI1

Технология

Si

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 N-Channel

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

15 ns

Торговая марка

Vishay Semiconductors

Упаковка / блок

SC-89-6

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

305mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

250mW

Rds On - Drain-Source Resistance

1.4О© @ 500mA,10V

Transistor Polarity

2 N Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet SI1026X-T1-GE3 , pdf , 144 КБ
Datasheet SI1026X-T1-GE3 , pdf , 144 КБ