ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSS12201LT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSS12201LT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSS12201LT1G
Последняя цена
14 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2463708
Технические параметры
Вес, г
0.03
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.09 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04мм
Transistor Configuration
Одинарный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
12 В пост. тока
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
540 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
2A
Pin Count
3
Dimensions
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Maximum Emitter Base Voltage
6 В пост. тока
Minimum DC Current Gain
200
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Pd - Power Dissipation
460mW
Тип транзистора
NPN
Высота
1.01mm
Конфигурация
Одиночный
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.09 V
Максимальное рассеяние мощности
540 мВт
Configuration
Одинарный
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0,9 В
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Техническая документация
Datasheet NSS12201LT1G , pdf
, 128 КБ
