IPN60R1K0PFD7SATMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: PGSOT2233, АБ

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2463685

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-223

Рассеиваемая Мощность

6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

4.7А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.84Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.1

Линейка Продукции

CoolMOS PFD7 SJ Series

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

5.2 A

Pd - рассеивание мощности

31.3 W

Qg - заряд затвора

6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Другие названия товара №

IPN60R1K0PFD7S SP005354000

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Reel, Cut Tape

Техническая документация

Datasheet IPN60R1K0PFD7SATMA1 , pdf , 1049 КБ
Datasheet , pdf , 1362 КБ

IPN60R1K0PFD7SATMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация