IPD60R600PFD7SAUMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 28 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2500, корпус: PGTO2523, АБ

МОП-транзистор CONSUMER

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

2463684

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

TO-252 (DPAK)

Рассеиваемая Мощность

31Вт

Полярность Транзистора

N-Channel

Напряжение Истока-стока Vds

600В

Непрерывный Ток Стока

6А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.517Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

4В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.15

Линейка Продукции

CoolMOS PFD7 SJ Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 3 - 168 часов

Минимальная рабочая температура

40 C

Id - непрерывный ток утечки

4.7 A

Pd - рассеивание мощности

26 W

Qg - заряд затвора

6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.978 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

9 ns

Время спада

50 ns

Другие названия товара №

IPD60R600PFD7S SP005353996

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

2500

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

42 ns

Типичное время задержки при включении

7.7 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-252-3

Упаковка

Reel, Cut Tape

Чувствительный к влажности

Yes

Техническая документация

Datasheet , pdf , 862 КБ

IPD60R600PFD7SAUMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 28 руб.

Техническая документация