ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC869.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC869.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC869.115
Последняя цена
13 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO243
Транзисторы PNP общего назначения, Nexperia
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
2463606
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.107
Base Product Number
BC869 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
140MHz
HTSUS
8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-243AA
Power - Max
1.2W
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-89
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
1A
Collector-Emitter Breakdown Voltage
20V
Pd - Power Dissipation
1.2W
Максимальное напряжение коллектор-база
-32 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
4.6 x 2.6 x 1.6мм
Pd - рассеивание мощности
500 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1.6мм
Длина
4.6мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
85
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
32 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
20 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
1 A
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-89-3
Ширина
2.6мм
Другие названия товара №
933678780115
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
50 at 5 mA, 10 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
140 MHz
Технология
Si
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0.6 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
1,35 Вт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 V
Максимальный пост. ток коллектора
2 A
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-89
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 298 КБ
Datasheet , pdf
, 1109 КБ
Datasheet , pdf
, 254 КБ
Datasheet , pdf
, 812 КБ